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期刊文章详细信息

反并联二极管对IGCT关断过程的影响  ( EI收录)  

Influence of Anti-Paralleled Diode on the Turn-Off Performance of IGCT

  

文献类型:期刊文章

作  者:童亦斌[1] 张婵[1]

机构地区:[1]北京交通大学新能源研究所,北京100044

出  处:《电工技术学报》

年  份:2007

卷  号:22

期  号:11

起止页码:125-129

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2004、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:20080911124742)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:IGCT是一种基于GTO结构并利用集成门极电路进行硬驱动控制的大功率半导体开关器件。在IGCT关断过程中,其门极换流有可能使反并联在IGCT两端的二极管因正向偏置而导通,从而对IGCT的关断过程产生显著的影响。本文从介绍IGCT工作原理入手,结合解释门极换流过程,对IGCT关断过程中反并联二极管的工作和由此产生的影响进行了分析,并通过实验结果对此进行了验证。

关 键 词:IGCT 集成门极  硬驱动  反并联二极管  反向恢复

分 类 号:TN34]

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同被引文献:

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