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期刊文章详细信息

适用于半速率CDR改进型VCO的设计与实现    

Design and Implementation of Improved VCO for Half-Rate CDR Circuit

  

文献类型:期刊文章

作  者:唐世民[1] 何小威[2] 陈吉华[2] 陈怒兴[2]

机构地区:[1]西南电子电信研究所,成都610041 [2]国防科技大学计算机学院微电子与微处理器研究所,长沙410073

出  处:《半导体技术》

年  份:2008

卷  号:33

期  号:1

起止页码:35-38

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘  要:在0.13μm数字CMOS工艺下设计实现了一种改进型的差分振荡器电路,该电路采用四级环形结构,其中心工作频率为1.25GHz,版图面积为50μm×50μm,工作范围1.1-1.4GHz,VCO的增益约为300MHz/V,在1.2V电源电压下、工作频率为1.25GHz时的平均功耗约为10mW。版图后模拟结果表明,该VCO输出的四相时钟信号间隔均匀,占空比接近50%,可适用于基于PLL的2.5Gbps的半速率时钟数据恢复电路。

关 键 词:压控振荡器 时钟数据恢复 半速率

分 类 号:TN752]

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同被引文献:

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