文献类型：期刊文章

作　　者：翟继卫[1] 张良莹[1] 姚熹[1]

机构地区：[1]西安交通大学电子材料研究所

出　　处：《功能材料》

年　　份：1997

卷　　号：28

期　　号：5

起止页码：490-491

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：1998164090315)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：ＦＴ－ＩＲ吸收谱用来研究具有多孔结构的ＴｉＯ２／ＳｉＯ２复合薄膜；薄膜在１２００ｃｍ－１有一较强的肩峰，其强度与峰位随热处理温度而产生变化。在９５５ｃｍ－１的吸收峰是由于Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ和Ｓｉ－ＯＨ的结果，并随着热处理温度的提高其吸收峰完全是Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ振动所引起的，其峰位随着ＴｉＯ２含量的增加，向低频区域移动。ＴｉＯ２锐钛矿结构的析出是从非晶富Ｔｉ的氧化物区域分凝出来的，并不减少Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ振动强度。

关 键 词：溶胶-凝胶 二氮化钛  薄膜  红外谱  二氧化硅

分 类 号：O484.1]