文献类型：期刊文章

作　　者：徐剑[1] 黄水平[1] 王占山[1] 鲁大学[2] 苑同锁[2]

机构地区：[1]同济大学物理系,精密光学工程技术研究所,上海200092 [2]中国耀华玻璃集团公司,秦皇岛066013

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60544005)资助的课题.~~

年　　份：2007

卷　　号：56

期　　号：12

起止页码：7195-7200

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20080311033724)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000252018900064)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000252018900064)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对SnO2:F体系的电子结构进行了第一性原理模拟计算.用广义梯度近似方法优化SnO2:F体系的晶胞结构,计算了体系基态总能.通过确定F掺杂对O的优先替代位置,计算了SnO2:F的能带结构、态密度、分波态密度.分析了F掺杂对SnO2晶体的电子结构和晶体性质及光学吸收边的影响,从理论上得出光学吸收边发生蓝移.对不同掺杂量的体系电子结构进行了分析.

关 键 词：F掺杂  SNO2 电子结构 态密度

分 类 号：O481]