期刊文章详细信息
基于失效机理的半导体器件寿命模型研究
Research on Lifetime Models of Semiconductor Devices Based on Failure Mechanism
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]东南大学无锡分校,江苏无锡214000
年 份：2007
卷 号：25
期 号：6
起止页码：15-18
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：微电子技术的发展使得集成电路的可靠性愈来愈重要,为了在较短的时间内得到产品可靠性数据,使用加速寿命试验是十分有效的方法。而使用加速寿命试验进行可靠性分析,关键是能够得到合适的寿命模型。不同的失效机理对器件寿命的影响是不同的。详细考虑了半导体器件的3个主要失效机理:电迁移、腐蚀和热载流子注入的影响因素,介绍了相应的寿命模型,并且通过具体的数据计算所得到的加速因子,对半导体器件在不同状态下的寿命情况进行了比较。
关 键 词：半导体器件 加速寿命试验 失效机理
分 类 号：TN303]
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