文献类型：期刊文章

作　　者：林弥[1] 吕伟锋[1] 孙玲玲[1]

机构地区：[1]杭州电子科技大学电子信息学院

出　　处：《Journal of Semiconductors》

年　　份：2007

卷　　号：28

期　　号：12

起止页码：1983-1987

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：共振隧穿(resonant tunnel,RT)器件本身所具有的微分负阻(negative differential resistance,NDR)特性使其成为天然的多值器件.文中利用RT器件的负阻特性,以开关序列原理为指导,设计了基于RT电路的开关模型,实现了更为简单的三值RT与非门和或非门电路,并利用MOS网络模型,通过SPICE软件仿真验证了所设计电路的正确性.该设计思想可推广到更高值的多值电路设计中.

关 键 词：RT器件  多值逻辑 开关序列 与非门 或非门

分 类 号：TN79]