文献类型：期刊文章

作　　者：向宏酉[1] 王嘉赋[1] 李娟[1]

机构地区：[1]武汉理工大学理学院物理科学与技术系,武汉430070

出　　处：《武汉理工大学学报》

年　　份：2007

卷　　号：29

期　　号：11

起止页码：72-75

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：20075210995911)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：从硫属相变存储器CRAM(Chalcogenide-based phase-change RAM)的存储原理出发,建立存储元一维多层热传导结构模型。根据存储元的读写功能需求及其与CMOS驱动电路实现热兼容的条件,确定3个临界参数:相变材料熔化温度Tm、相变的临界区域Xc、CMOS驱动电路能承受的临界温度Tc。合理设定边界条件,利用差分法编程求解多层热传导方程得出温度分布曲线图。在临界参数的限制下,通过选择调整存储元的电极、隔热层、相变层的材料尺寸,并使用加热层对相变层进行加热,设计出的CRAM存储元结构模型不仅满足了CRAM存储元的存储读写要求,而且首次实现了CRAM存储元与CMOS电路的热兼容。

关 键 词：相变 CRAM  硫属化合物 热兼容  

分 类 号：TP333.8]