文献类型：期刊文章

作　　者：谢自力[1] 张荣[1] 修向前[1] 韩平[1] 刘斌[1] 陈琳[1] 俞慧强[1] 江若琏[1] 施毅[1] 郑有炓[1]

机构地区：[1]南京大学物理系江苏省光电功能材料重点实验室,南京210093

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家重点基础研究发展规划(973)(批准号:2006CB6049);国家自然科学基金(批准号:60390072;60476030;60421003;60676057);教育部重大项目(批准号:10416);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004);江苏省自然科学基金(批准号:BK2005210;BK2006126)资助的课题~~

年　　份：2007

卷　　号：56

期　　号：11

起止页码：6717-6721

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20075110983883)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000251093800092)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000251093800092)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同工艺条件下的高质量AlGaN材料的制备.得到了无裂纹的全组分AlxGa1-xN(0<x<1)薄膜.通过XRD,SEM,AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对材料的结构质量、组分、厚度和表面形貌的影响.分析了不同生长工艺对AlGaN材料特性的影响.研制的高质量AlGaN材料在紫外探测器的DBR结构应用中得到比较好的特性.

关 键 词：ALGAN DBR 紫外探测器 MOCVD

分 类 号：TN23] TN304.05