文献类型：期刊文章

作　　者：张穗萌[1] 吴兴举[1] 孙瑞[1] 杨欢[2] 高矿[2] 周军[1]

机构地区：[1]安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所,六安237012 [2]安徽师范大学物理与电子信息学院,芜湖241000

出　　处：《物理学报》

基　　金：安徽省自然科学基金(批准号:03406203);安徽省教育厅重大科研项目基金(批准号:ZD2007002-1);安徽省教育厅自然科学基金(批准号:2006KJ267B);省高校拔尖人才专项基金(批准号:[2003]022)资助的课题.~~

年　　份：2007

卷　　号：56

期　　号：11

起止页码：6378-6385

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000251093800036)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000251093800036)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：研究了低能电子入射单电离He原子的二重微分截面(DDCS),通过对散射电子三重微分截面在全空间的角度积分得到敲出电子的DDCS.分别用DS3C模型和BBK模型计算了入射能为26.3,28.3,30.3,32.5,34.3,36.5和40.7eV时,低能电子入射电离He原子的DDCS;研究表明:DS3C的计算结果,除在低入射能(比如26.3eV)和小敲出角之外,均能与绝对测量的实验结果较好地符合.此外,对直接和交换效应也进行了研究,给出了交换效应对截面的贡献.

关 键 词：二重微分截面  低能入射电子  交换效应  

分 类 号：O562]