文献类型：期刊文章

作　　者：薛建设[1] 林炜[2] 马瑞新[2] 康勃[2] 吴中亮[2]

机构地区：[1]北京京东方光电科技有限公司,北京100176 [2]北京科技大学冶金与生态工程学院,北京100083

出　　处：《液晶与显示》

基　　金：北京市科委科技计划资助项目(No.D0306006000091;No.D0304002000021)

年　　份：2007

卷　　号：22

期　　号：5

起止页码：560-564

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用射频磁控溅射法在玻璃衬底上氩气气氛中制备出(Al,Zr)共掺杂的ZnO透明导电薄膜,研究了不同Zr掺杂浓度和薄膜厚度ZnO薄膜的结构、电学和光学特性。结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有(002)单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,电阻率为2.2×10-2Ω.cm,且可见光段(320～800nm)平均透过率达到85%的ZnO透明导电薄膜。在150℃的条件下对(Al,Zr)共掺杂的ZnO薄膜进行1h的退火处理,薄膜电阻率降低至8.4×10-3Ω.cm。Zr杂质的掺入改善了薄膜的可见光透光性。

关 键 词：氧化锌  透明导电薄膜 电阻率 透光率 射频磁控溅射

分 类 号：O484.4]