文献类型：期刊文章

作　　者：李庚伟[1] 吴正龙[2] 邵素珍[3] 刘志凯[4]

机构地区：[1]中国地质大学(北京)材料科学与工程学院,北京100083 [2]北京师范大学分析测试中心,北京100875 [3]北京市第四十七中学,北京100090 [4]中国科学院半导体材料科学实验室,北京100083

出　　处：《材料科学与工艺》

基　　金：国家高技术研究发展计划资助项目(7150010162);中国地质大学(北京)科技基金资助项目(200524).

年　　份：2007

卷　　号：15

期　　号：5

起止页码：685-688

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：对于在Si(111)上用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长的ZnO薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对长成的样品进行了异位测试,分析了导致各峰峰位能移的因素;通过异位与原位XPS谱图的比较,指出O+-assistedPLD法生成的ZnO薄膜中存在孔隙;指出生长出的ZnO薄膜中含Si成分的厚度不超过18nm;同时探讨了在长成的ZnO/Si上继续生长GaN薄膜的可行性.

关 键 词：ZnO/Si异质结构  氧离子柬辅助(O^+-assisted)PLD  X射线光电子能谱(XPS)  深度剖析  

分 类 号：O484.1] TN248.1[物理学类]