文献类型：期刊文章

作　　者：王红敏[1] 唐国强[1] 晋圣松[1] 边成香[1] 韩菲菲[1] 梁旦[1] 徐学诚[1]

机构地区：[1]华东师范大学纳米功能材料与器件研究中心,上海200062

出　　处：《化学学报》

年　　份：2007

卷　　号：65

期　　号：21

起止页码：2454-2458

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、IC、JST、RCCSE、RSC、SCI(收录号：WOS:000251269200018)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000251269200018)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过改变聚噻吩合成条件(温度、浓度、反应时间)得到各种不同样品,用FESEM,FTIR光谱,Raman光谱,XRD,UV-Vis光谱和TG等手段对样品进行研究.结果表明,不同的制备条件会影响噻吩环的连接方式,直接影响聚噻吩结构的分布.导电性能研究表明,聚噻吩的结构差异和其导电性能直接相关,实验证明以α-α相连接的聚噻吩有更高的电导率.

关 键 词：聚噻吩 α-α连接  导电性能 结构  

分 类 号：O633.5]