文献类型：期刊文章

作　　者：吴文光[1] 范广涵[2] 沈为民[1] 金尚忠[1] 徐时清[1]

机构地区：[1]中国计量学院信息工程学院光电子系,浙江杭州310018 [2]华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州510631

出　　处：《半导体光电》

基　　金：国家科技攻关项目(00-068)

年　　份：2007

卷　　号：28

期　　号：5

起止页码：651-654

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：20075110983559)、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数与器件参数(腔长和端面反射率)之间的关系,为改善VCSEL阈值特性和优化器件结构提供了理论依据。

关 键 词：垂直腔面发射半导体激光器 多量子阱 阈值电流密度

分 类 号：TN248.4]