文献类型：期刊文章

作　　者：马全宝[1] 叶志镇[1] 何海平[1] 朱丽萍[1] 张银珠[1] 赵炳辉[1]

机构地区：[1]浙江大学材料系硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《无机材料学报》

基　　金：国家科技部973项目(2006CB604906);国家自然科学基金重点项目(60276044;60340460439);浙江省自然科学基金(Y405126)

年　　份：2007

卷　　号：22

期　　号：6

起止页码：1113-1116

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI(收录号：20075110985606)、IC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000251265400019)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000251265400019)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(znO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ca透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小,随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小,晶粒尺寸最大.薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大,沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10^(-4)Ω·cm.此外,所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%.

关 键 词：ZNO:GA 透明导电氧化物薄膜 磁控溅射  氧分压 光电特性

分 类 号：O484] TN304[物理学类]