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期刊文章详细信息

大尺寸掺钕和掺铥铝酸钇晶体的生长和退火技术  ( EI收录)  

Growth and Annealing Techniques of Large-sized Nd:YAP and Tm:YAP Crystals

  

文献类型:期刊文章

作  者:莫小刚[1] 王永国[1] 朱建慧[1] 徐学珍[1] 何占斌[1] 桂尤喜[1] 王克强[2]

机构地区:[1]北京雷生强式科技有限责任公司,北京100015 [2]中国电子科技集团公司第十一研究所,北京100015

出  处:《人工晶体学报》

基  金:固体激光技术国防科技重点实验室基金项目(No.H200630040);军品配套研制项目(JPPT-115-2-1026)

年  份:2007

卷  号:36

期  号:3

起止页码:520-525

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:20073110727482)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:通过分析铝酸钇(YAP)晶体产生孪晶、开裂、色心和弥散性散射的原因,探讨了克服这些缺陷和问题的技术途径。采用提拉法生长了b轴方向的掺钕和掺铥铝酸钇(Nd:YAP和Tm:YAP)晶体,通过温场系统、生长工艺参数和切割工艺的优化,克服了晶体开裂的问题,晶体直径达到46mm;通过真空退火工艺,既显著减轻了紫外和可见区的色心吸收,又减小了晶体的应力,有助于克服晶体在加工过程中的开裂问题。晶体生长实验和晶体的显微观察表明:YAP晶体中的弥散状散射很可能同熔体中组分的均匀性有关,通过增大晶体的直径,增强强迫对流有助于减轻晶体中的弥散状散射。高质量b轴Nd:YAP和a轴Tm:YAP晶体已分别实现二极管泵浦大于140W的1.079μm和大于10W的1.99μm激光输出。

关 键 词:ND:YAP TM:YAP 提拉法 晶体生长 退火  

分 类 号:O782]

参考文献:

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同被引文献:

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