文献类型：期刊文章

作　　者：罗毅[1] 张贤鹏[1] 韩彦军[1] 钱可元[2]

机构地区：[1]清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室,北京100084 [2]清华大学深圳研究生院半导体照明实验室,深圳518057

出　　处：《激光与光电子学进展》

基　　金：国家自然科学基金项目(60536020;60390074);国家重点基础研究发展计划"973"(2006CB302801;2006CB302804;2006CB302806;2006CB921106);国家高技术研究发展计划"863"(2006AA03A105);北京市科委重大计划(D0404003040321)资助项目。

年　　份：2007

卷　　号：44

期　　号：3

起止页码：17-28

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以GaN基功率型发光二极管为核心的半导体照明光源,已经展示了广阔的应用前景,但其流明效率和公认的200lm/W的路线图目标相比还有较大的发展空间。从材料外延、管芯制作、器件封装和系统应用等方面介绍了半导体照明关键技术的最新进展,其中包括清华大学集成光电子学国家重点实验室的研究成果,并展望了未来的研究方向。

关 键 词：半导体照明 氮化镓 发光二极管 流明效率  热阻 非成像光学  

分 类 号：TU113.64] TN31]