文献类型：期刊文章

作　　者：张心强[1] 张维佳[1] 武美伶[1] 贾士亮[1] 刘浩[1] 李国华[2]

机构地区：[1]北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083

出　　处：《功能材料》

年　　份：2007

卷　　号：38

期　　号：10

起止页码：1741-1744

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20074710936557)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在较高工作气压（332.5-399Pa）下,采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺制备了优质的本征纳米硅薄膜及掺磷的纳米硅薄膜,并采用X射线衍射（XRD）、拉曼散射（Raman）测试技术对其进行了测试和分析。结果表明纳米硅薄膜的XRD谱中存在（111）（、220）和（331）峰位;Raman谱中显示出其薄膜中的晶粒的大小（2-5nm）符合纳米晶的要求。将制备的纳米硅薄膜初步用于栅极/ITO/n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si/Al/Ag结构的异质结（HIT）太阳能电池,开路电压（Voc）达404mV,短路电流密度（Jsc）可达到34.2mA/cm^2（AM1.5,100mW/cm^2,25℃）。

关 键 词：纳米硅 薄膜  PECVD HIT 太阳能电池

分 类 号：TM914.4]