文献类型：期刊文章

作　　者：朱慧群[1] 丁瑞钦[1] 庞锐[2] 麦开强[2] 吴劲辉[2]

机构地区：[1]五邑大学薄膜与纳米材料研究所 [2]五邑大学信息学院,广东江门529020

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：广东省自然科学基金资助项目(04011770);广东省江门市科技计划资助项目(2004.59)

年　　份：2007

卷　　号：18

期　　号：10

起止页码：1173-1175

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20074610915838)、SCOPUS、核心刊

摘　　要：采用直流反应溅射法，在一定的溅射功率和衬底温度等条件下控制气体组分，优选Ar：O2—8：1成功研制出高响应度n-ZnO／p-Si紫外至近红外增强型广谱光探测器。实验关键是利用缺O法在n-ZnO薄膜内有效引入O缺位Vo，而Vo可增强紫蓝波段的光响应。测试结果显示，ZnO薄膜的光致发光（PL）谱除在388nm处存在紫外带边发射主峰外，还在416nm处出现由O缺位导致的发射峰；X射线衍射（XRD）谱表明，薄膜中的晶体为高C轴取向的纤锌矿结构；n-ZnO／p-Si光探测器在光照时Ⅰ-Ⅴ特性显示，光电流随反向偏压的增加迅速上升；在5V的反向偏压下，紫外区（310-388nm）的光响应高达0．75～1．38A／W，紫蓝光区（400-430nm）的光响应大大增强，400-800nm波段的光谱响应稳定在0．90A／W。

关 键 词：直流反应溅射  n-ZnO/p-Si异质结  光探测器 光响应

分 类 号：TN366]