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期刊文章详细信息

Mg、Zn掺杂AlN电子结构的第一性原理计算    

First-principles Calculation of AlN Electronic Structure by Doping with Mg and Zn

  

文献类型:期刊文章

作  者:张丽敏[1] 范广涵[1] 丁少锋[1]

机构地区:[1]华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州510631

出  处:《物理化学学报》

基  金:国家自然科学基金(50602018);广东省自然科学基金(06025083);广东省科技攻关计划(2006A10802001);广州市科技攻关重大项目(2004U13D0021)资助

年  份:2007

卷  号:23

期  号:10

起止页码:1498-1502

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000250412100003)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,对Mg、Zn掺杂AlN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,对纤锌矿结构AlN晶体及AlN:Mg、AlN:Zn的结构、能带、结合能、电子态密度、集居数及差分电荷分布进行计算和分析.计算结果表明,AlN:Mg、AlN:Zn都能提供很多的空穴态,形成p型电导,并且Mg是较Zn更好的p型掺杂剂.

关 键 词:ALN P型掺杂 电子结构 密度泛函理论 第一性原理

分 类 号:O641.1]

参考文献:

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同被引文献:

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