文献类型：期刊文章

作　　者：徐国亮[1] 刘玉芳[1] 孙金锋[1] 张现周[1] 朱正和[2]

机构地区：[1]河南师范大学物理与信息工程学院,新乡453007 [2]四川大学原子与分子物理研究所,成都610065

出　　处：《物理学报》

基　　金：河南师范大学博士科研启动项目(批准号:051003);河南师范大学青年基金(批准号:2006005)资助的课题~~

年　　份：2007

卷　　号：56

期　　号：10

起止页码：5704-5708

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20074510910124)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000250313000025)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000250313000025)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：在得到SiO分子基态稳定构型的基础上,选用B3P86/6-311++g(d,p)方法优化得到了不同外电场(-0.03—0.03a.u.)下SiO分子基态的稳定电子结构,研究了外电场对SiO分子基态键长、能量、电荷分布、能级分布,能隙及红外光谱的影响规律.结果表明,分子结构与电场呈现强烈的依赖关系,且对电场的方向依赖呈现出不对称性.同时在正向外电场逐渐增大的过程中,SiO分子能隙始终处于减小趋势,占据轨道的电子易于激发至空轨道,因而为研究材料的电致发光机理奠定了一定的理论基础.

关 键 词：SIO 外电场 激发  

分 类 号：O482]