文献类型：期刊文章

作　　者：肖方[1] 汪辉[1] 罗仕洲[2]

机构地区：[1]上海交通大学微电子学院,上海200030 [2]中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,上海201203

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家自然科学基金(NSFC60606015);上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)

年　　份：2007

卷　　号：32

期　　号：10

起止页码：847-850

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在半导体湿法蚀刻中,热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺,实践中发现高温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发,分析了影响蚀刻率的各个因素,并通过实验分析了各个因素对蚀刻率的具体影响。根据目前广泛应用于生产中的技术,介绍了如何对相关因素进行控制调节,为得到稳定的热磷酸蚀刻率提供了方向。

关 键 词：热磷酸  湿法蚀刻  蚀刻率  氮化硅

分 类 号：TN305.7]