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期刊文章详细信息

浅谈CMOS集成电路的I_(DDQ)测试    

Shallow to Talk About I_(DDQ) of CMOS Integrated Circuit Test

  

文献类型:期刊文章

作  者:张磊[1] 王忆[2] 张浩[3]

机构地区:[1]中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳110032 [2]辽宁公安司法管理干部学院,沈阳110031 [3]沈阳光明电工仪器厂,沈阳110041

出  处:《微处理机》

年  份:2007

卷  号:28

期  号:4

起止页码:18-19

语  种:中文

收录情况:ZGKJHX、普通刊

摘  要:介绍了IDDQ测试的基本原理和主要测试方法,CMOS IC本质上是电流可测试的,IDDQ测试可有效地提高产品质量,降低芯片生产价格,并且它对失效响应分析(FEA)是非常有用的。

关 键 词:IDDQ测试 缺陷  故障  可靠性

分 类 号:TN4]

参考文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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