文献类型：期刊文章

作　　者：文博[1] 周建军[1] 江若琏[1] 谢自力[1] 陈敦军[1] 姬小利[1] 韩平[1] 张荣[1] 郑有炓[1]

机构地区：[1]南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB6049);国家自然科学基金(批准号:60476030);江苏省自然科学基金(批准号:BK2006126)资助项目~~

年　　份：2007

卷　　号：28

期　　号：9

起止页码：1392-1395

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：20074210875163)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：根据pn结太阳电池的电流-电压方程,计算了在理想情况下,InGaN材料应用于单结、双结和三结太阳电池时,其转换效率可分别高达27.3%,36.6%和41.3%,均高于通常半导体材料太阳电池.同时,计算还得出了3种InGaN太阳电池的最佳带隙宽度及相应的In组分,为设计InGaN太阳电池提供了理论依据.

关 键 词：INGAN 太阳电池 转换效率  理论计算  

分 类 号：TM914.4]