文献类型：期刊文章

作　　者：林枞[1] 徐政[1] 彭虎[2] 孙丹峰[3]

机构地区：[1]同济大学材料科学与工程学院,上海200092 [2]长沙隆泰微波热工有限公司,湖南410013 [3]苏州中普电子有限公司,苏州215011

出　　处：《无机材料学报》

年　　份：2007

卷　　号：22

期　　号：5

起止页码：917-921

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI(收录号：20074410900331)、IC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000249771300028)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000249771300028)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学,微波烧结温度从900～200℃,保温时间从20min～2h.研究表明,微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别;微波烧结有助于样品的致密化,并降低致密化温度.随着烧结温度的升高,致密化和反致密化作用共同影响样品的密度,其中Bi的挥发是主要影响因素.微波烧结ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为2.9～3.4,生长激活能为225kj/mol,传统烧结的ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为3.6～4.2,生长激活能为363kJ/mol.液相Bi_2O_3、尖晶石相和微波的"非热效应"是影响微波烧结ZnO压敏电阻陶瓷晶粒生长的主要因素.

关 键 词：微波烧结 氧化锌压敏电阻 致密化 晶粒生长动力学  

分 类 号：TN304]