文献类型：期刊文章

作　　者：范朝阳[1] 张训生[1] 唐景昌[1] 隋华[1] 徐亚伯[1] 徐世红[2] 潘海斌[2] 徐彭寿[2]

机构地区：[1]浙江大学物理系硅材料国家重点实验室 [2]中国科学技术大学国家同步辐射实验室

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金;浙江省自然科学基金

年　　份：1997

卷　　号：46

期　　号：5

起止页码：953-958

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004057857644)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用同步辐射光源测量Ｎａ２ｓ二次电子部分产额谱得到Ｎａ诱导Ｓｉ（１１１）３×１结构的近边Ｘ射线吸收精细结构（ＮＥＸＡＦＳ）谱，并用原子集团多重散射方法对几种可能的模型进行计算，与实验结果比较，认为Ｎａ／Ｓｉ（１１１）３×１吸附结构与Ｍｎｃｈ模型相一致．Ｎａ原子吸附在Ｓｉ的顶位，Ｎａ—Ｓｉ键长为０３ｎｍ．

关 键 词：金属半导体接触  半导体结构 NEXAFS

分 类 号：O471]