文献类型：期刊文章

作　　者：任丙彦[1] 刘晓平[1] 李彦林[1] 王敏花[1] 羊建坤[1] 许颖[2]

机构地区：[1]河北工业大学信息功能材料研究所,天津300310 [2]北京太阳能研究所,北京100083

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：河北省自然科学基金项目(No.F2005000073)

年　　份：2007

卷　　号：36

期　　号：4

起止页码：798-801

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20073910835045)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：工作气压在ITO薄膜的制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材,在衬底温度为175℃,工作气压范围为0.45-1.0 Pa条件下,制备了氧化铟锡透明导电薄膜。研究了工作气压对其微观结构、表面形貌和光电特性的影响。在衬底温度为175℃、纯氩气中制备的氧化铟锡薄膜电阻率为3.04×10^-4Ω.cm、可见光波段（400-800 nm）透过率为91.9%,适合用作异质结太阳电池的前电极和减反射膜。

关 键 词：磁控溅射 ITO薄膜 溅射气压 低温  

分 类 号：O484.1]