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期刊文章详细信息

从M-T曲线上“奇异峰”分析掺杂3d族ZnO基稀磁半导体的磁学本质  ( EI收录)  

  

文献类型:期刊文章

作  者:彭英姿[1,2,3,4] Thomas Liew[2,3] 叶志镇[4] 张银珠[4]

机构地区:[1]杭州电子科技大学理学院,材料物理研究所 [2]Data Storage Institute,DSI Building,5 Engineering Drive1,Singapore 117608 [3]Department of Electrical and Computer Engineering,National University of Singapore,Singapore 119260 [4]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出  处:《科学通报》

基  金:杭州电子科技大学科学研究基金(批准号:KYF091506003);浙江大学硅材料国家重点实验室开放基金(批准号:200603)资助项目

年  份:2007

卷  号:52

期  号:16

起止页码:1864-1867

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、MR、RCCSE、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:研究了用双束脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上制备的Zn0.95Co0.05O薄膜的结构和磁学性质.晶体结构分析表明制备的薄膜是具有ZnO沿c轴择优取向的纤锌矿点阵结构的单晶膜.当室温或低于室温时该薄膜具有磁性.Zn0.95Co0.05O薄膜的磁化强度随温度的变化曲线,在55K附近出现了一个小峰.小峰出现的温度与文献中报道的"奇异峰"出现的温度相似,虽然小峰凸起似乎并不如引文中的明显.没有实验结果表明引文中的"奇异峰"与纳米材料的量子效应有相关性.Zn0.95Co0.05O薄膜的磁学行为并不能用稀磁半导体的铁磁性解释.并对ZnO基稀磁半导体薄膜中的磁学本质进行了讨论.

关 键 词:稀磁半导体 磁学本质  奇异磁学行为  ZnO基  

分 类 号:O472.5]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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