文献类型：期刊文章

作　　者：邓周虎[1] 闫军锋[1] 张富春[1] 王雪文[1] 徐建平[2] 张志勇[1]

机构地区：[1]西北大学信息科学与技术学院,西安710069 [2]驻771所军代表室,西安710054

出　　处：《光子学报》

年　　份：2007

卷　　号：36

期　　号：B06

起止页码：110-115

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20073310766812)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文根据密度泛函理论(DFT),采用第一性原理平面波赝势方法,计算了Sb掺杂对透明导电薄膜SnO2电子结构及导电性能的影响,讨论了掺杂下SnO2晶体的结构变化、能带结构、电子态密度.计算结果表明,Sb掺杂的SnO2具有高的电导率,且随着掺杂浓度的增加,能带简并化加剧,浅施主杂质能级向远离导带底方向移动.

关 键 词：SNO2 第一性原理 电子结构 掺杂

分 类 号：TN304.2]