文献类型：期刊文章

作　　者：郑海务[1] 苏剑峰[2] 王科范[1] 李银丽[1] 顾玉宗[1] 傅竹西[2]

机构地区：[1]河南大学物理与电子学院微系统物理研究所,河南开封475001 [2]中国科学技术大学物理系,安徽合肥230026

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50472009;50532070)

年　　份：2007

卷　　号：38

期　　号：8

起止页码：1336-1338

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20073910834533)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在Si(111)衬底上,采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延出结晶质量良好的SiC薄膜。低温光致发光谱表明该薄膜属于6H-SiC多型体。X射线衍射图表明该薄膜具有高度的择优取向性。扫描电子显微镜图表明该薄膜由片状SiC晶粒组成。拉曼光谱和透射电子衍射谱的结果进一步表明该薄膜具有较高的结晶质量。对Si(111)衬底上6H-SiC薄膜的生长机制进行了初步探讨。

关 键 词：SI 6H-SIC 化学气相沉积 微结构

分 类 号：TN304.054] O484.1]