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用挖补圆盘法检测金属与薄层、超薄半导体层的欧姆接触性能 ( EI收录)
The Test of Ohmic Contact Quality for Metal／Thin Layer or Super Thin Semiconductor Layer by Adding and Taking Disc
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]南京理工大学应用物理系,南京大学物理系
年 份：1997
卷 号：25
期 号：8
起止页码：33-36
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：在平面型器件和备种新型微电子器件中，金属与薄层、超薄半导体层的欧姆接触质量宜接影响着器件的性能．本文提出一种挖补圆盘法来检测它们的欧姆接触性能．由电势叠加原理导出了理论公式．此法样品制备简单，无需台面绝缘，由于接触结构的特点，自然免除了侧向电流聚集效应，从而提高了精度．若将接触结构稍加发展，则更为简捷实用．实验结大果与文献报道的其它方法符合得很好．
关 键 词：金属 半导体 欧姆接触 微电子器件
分 类 号：TN305.93]
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