文献类型：期刊文章

作　　者：李岩[1] 封继康[1] 任爱民[1] 杨丽[1]

机构地区：[1]吉林大学理论化学研究所理论化学计算国家重点实验室,吉林大学化学学院长春130023

出　　处：《高等学校化学学报》

基　　金：国家'九七三'计划(批准号:2002CB613406)资助

年　　份：2007

卷　　号：28

期　　号：8

起止页码：1561-1565

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20073910834918)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用密度泛函B3LYP方法对低聚体（DEF-BSeD）n（n=1～4）[其中9,9二乙基芴（DEF）单元与苯并硒化二唑（BSeD）单元的摩尔比分别为1∶1和2∶1]进行全优化,计算电离能（PI）、电子亲和势（EA）和能隙（ΔH-L）,在基态结构的基础上用TD-DFT和ZINDO方法计算激发能和电子吸收光谱,并利用外推法得到高聚物的相应性质.从外推结果看出,随着聚合物中BSeD比例的增大,聚合物的最低单激发能呈减小的趋势,最大电子吸收光谱红移.用CIS方法优化得到单体的S1激发态结构,计算结果表明,激发态的结构更趋近于平面构型.

关 键 词：芴  苯并硒化二唑  密度泛函理论

分 类 号：O641]