文献类型：期刊文章

作　　者：袁骏[1] 杨根庆[1] 毛应俊[1] 任琮欣[1] 邹世昌[1] 周锷猷[2] 张宏[2]

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室 [2]中国科学院上海冶金研究所超导实验室

出　　处：《功能材料与器件学报》

年　　份：1997

卷　　号：3

期　　号：1

起止页码：55-61

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：用双离子束辅助沉积（ＩｏｎＢｅａｍＡｓｉｓｔｅｄＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＩＢＡＤ）方法在Ｎｉ－Ｃｒ合金上合成了具有（００ｌ）择优取向，平面双轴排列的ＹＳＺ膜（Ｙ２Ｏ３－ＺｒＯ２）作为ＹＢＣＯ超导膜缓冲层。辅助轰击离子束方向与衬底法线的夹角５４０左右时可获得最佳的（００ｌ）择优效果。８０００Ｃ高温退火后其结构有较大的改善。在其上用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＹＢＣＯ膜的Ｔｃ＝８８Ｋ，Ｊｃ＝１０×１０４Ａ／ｃｍ２（０Ｔ，７７Ｋ），并且从Φ扫描的结果说明了ＹＳＺ缓冲层上ＹＢＣＯ膜的生长机制。

关 键 词：IBAD 双轴取向 YSZ缓冲层  YBCO 超导薄膜

分 类 号：TM260.51[材料类] TB43]