文献类型：期刊文章

作　　者：邱东江[1] 石成儒[1] 曾耀武[1] 郝天亮[1] 庞国锋[1]

机构地区：[1]杭州大学特种材料研究所

出　　处：《表面技术》

基　　金：浙江省自然科学基金资助项目

年　　份：1997

卷　　号：26

期　　号：1

起止页码：11-14

语　　种：中文

收录情况：CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI、JST、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：采用改进的热丝化学气相沉积(AHFCVD)装置,在四类六种不同性质衬底材料(W、Mo、Cu、Si、SiO_2、Al_2O_3)上研究了金刚石膜成核与生长特性。研究了基片材料特性(如材料的结晶特性、晶格常数、热膨胀系数、化学性质等)、沉积条件及基片预处理对金刚石膜成核与生长特性的影响。实验结果表明,在六种不同性质的材料上都能生长多晶金刚石膜,与是否形成碳化物中间层无关。反应气压、衬底温度和CH_4/H_2比例对其形貌、质量、成核密度的影响趋势是一致的,但也有它们各自的特点。对提高金刚石膜的质量及膜与基片的结合强度提出了一些改进措施。

关 键 词：金刚石膜 成核 化学气相沉积 镀膜 衬底 薄膜  

分 类 号：O484.1]