文献类型：期刊文章

作　　者：谢振宇[1] 龙春平[1] 邓朝勇[1] 林承武[1]

机构地区：[1]北京京东方光电科技有限公司,北京100176

出　　处：《真空科学与技术学报》

年　　份：2007

卷　　号：27

期　　号：4

起止页码：341-345

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：20073610802338)、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪和YAF-5000M等测试仪器,对薄膜晶体栅界面层的键结构及含量、光学性能、物理性能以及晶体管导电性能进行分析研究。重点讨论了键含量与薄膜禁带宽度和介电常数的关系。结果表明:提高栅界面层N-H键含量(或减少Si-H键含量)能提高光禁带宽度和相对介电常数。栅界面层能改善非晶氮化硅薄膜和非晶硅薄膜的界面性能,提高薄膜晶体管的稳定性和场效应迁移率。

关 键 词：栅界面层  氮化硅 光禁带宽度  介电常数 导通电流  

分 类 号：TN305.8]