文献类型：期刊文章

作　　者：李微[1] 敖建平[1] 何青[1] 刘芳芳[1] 李凤岩[1] 李长健[1] 孙云[1]

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA513020)资助的课题.~~

年　　份：2007

卷　　号：56

期　　号：8

起止页码：5009-5012

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000248684800106)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000248684800106)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：分别在苏打石灰玻璃、Mo箔、无择优取向的Mo薄膜以及(110)择优取向的Mo薄膜四种不同衬底上,采用共蒸发工艺沉积约2μm厚的Cu(In,Ga)Se2薄膜,用X射线衍射仪测量薄膜的织构,研究衬底对Cu(In,Ga)Se2薄膜织构的影响.在以上四种衬底上沉积的Cu(In,Ga)Se2薄膜的(112)衍射峰强度依次逐渐减弱,(220/204)衍射峰从无到有且强度逐渐增强.在苏打石灰玻璃和Mo箔衬底上的Cu(In,Ga)Se2薄膜具有明显的(112)择优生长,而在(110)取向的Mo薄膜衬底上,Cu(In,Ga)Se2薄膜的织构为(220/204)取向.研究结果表明,只有(110)择优取向的Mo薄膜衬底对Cu(In,Ga)Se2薄膜(220/204)织构的形成有重要影响.

关 键 词：择优取向  cu(In  Ga)Se2薄膜  太阳电池

分 类 号：O484.1]