文献类型：期刊文章

作　　者：杜春山[1] 陈常勇[1] 刘章发[1]

机构地区：[1]北京交通大学电子工程系,北京100044

出　　处：《半导体技术》

年　　份：2007

卷　　号：32

期　　号：8

起止页码：703-706

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：电子产品的低功耗设计已成为研究的热点,低功耗、高效率功率放大器已成为降低系统功耗的关键所在。E类功率放大器是一种开关模式的功率放大器,理论上可以达到100%的漏极效率,具有广泛的应用前景。论述了用标准CMOS工艺实现高效率E类功率放大器所面临的诸多挑战以及一些相应的解决措施,并以0.18μm CMOS工艺设计了包含驱动级的两级结构的E类功率放大器。Spectre仿真结果表明,所设计的功率放大器在+25.5 dBm的输出功率时,具有52.8%的功率附加效率。

关 键 词：E类功率放大器 高效率  开关功率放大器

分 类 号：TN722.75]