文献类型：期刊文章

作　　者：姚雨[1] 靳彩霞[1] 董志江[2] 孙卓[1] 黄素梅[1]

机构地区：[1]华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心,上海200062 [2]武汉迪源光电科技有限公司,湖北武汉430074

出　　处：《液晶与显示》

基　　金：Supported by Foundations of Pujiang Talented Person Plans(No.05PJ14037);Nanotechnology of Shanghai Municipal Science & Technology Committee(No.0552nm042);Shanghai-Applied Materials Research and Development fund(No.0519)

年　　份：2007

卷　　号：22

期　　号：3

起止页码：273-277

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数。结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统的表面光滑的芯片相比在20 mA的驱动电流下,发光强度提高了70%。

关 键 词：GAN基发光二极管 铟锡氧化物 表面粗化 自然光刻  

分 类 号：TN312.8]