文献类型：期刊文章

作　　者：谭天亚[1] 黄建兵[2] 占美琼[2] 邵建达[2] 范正修[2] 吴炜[1] 郭永新[1]

机构地区：[1]辽宁大学物理系 [2]中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800

出　　处：《光学学报》

基　　金：辽宁大学科研启动基金(408041)资助课题

年　　份：2007

卷　　号：27

期　　号：7

起止页码：1327-1332

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20073410776637)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用矢量法设计了三硼酸锂晶体上1064 nm、532 nm和355 nm三倍频增透膜,结果表明1064 nm、532 nm和355 nm波长的剩余反射率分别为0.0017%、0.0002%和0.0013%。根据误差分析,薄膜制备时沉积速率精度控制在+5.5%时,1064 nm、532 nm和355 nm波长的剩余反射率分别增加至0.20%、0.84%和1.89%。当材料折射率的变化控制在+3%时,1064 nm处的剩余反射率增大为0.20%,532 nm和355 nm处分别达0.88%和0.24%。与薄膜物理厚度相比,膜层折射率对剩余反射率的影响大。对膜系敏感层的分析表明,在1064 nm和355 nm波长,从入射介质向基底过渡的第二层膜的厚度变化对剩余反射率的影响最大,其次是第一膜层。在532 nm波长,第一和第三膜层是该膜系的敏感层。同时发现,由于薄膜材料的色散,1064 nm5、32 nm和355 nm波长的剩余反射率分别增加至0.15%、0.31%和1.52%。

关 键 词：薄膜光学 三倍频增透膜  矢量法  三硼酸锂晶体  误差分析

分 类 号：O484.41]