文献类型：期刊文章

作　　者：郎君[1] 何书专[2] 杨盛光[1] 李丽[1] 高明伦[1]

机构地区：[1]南京大学物理系微电子设计研究所,江苏南京210093 [2]江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏南京210093

出　　处：《微电子学》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(90307011);江苏省高技术研究资助项目(BG2005030)

年　　份：2007

卷　　号：37

期　　号：3

起止页码：374-377

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：设计了一款工作在低电源电压且与绝对温度成正比（PTAT）的基准电路;采用衬底偏置技术、电阻分压作为PMOS放大器的输入和用工作在亚阈值区的NMOS管代替衬底PNP管三种方法,使得该电路可以在低电源电压下工作,且工作电流较小。该电路采用CSMC 0.6μm2P2 M工艺,电源电压为1.2 V、温度为0-100℃时,输出电压的温度系数为0.912 mV/K,电源电流为6.8μA;当电源电压在1.1-2.0 V变化时,室温下的输出电压是461.4±0.4 mV。

关 键 词：衬底偏置  基准电压源 与绝对温度成正比  低电源电压

分 类 号：TN432]