文献类型：期刊文章

作　　者：李国栋[1] 张秀玲[2] 胡仰栋[1]

机构地区：[1]中国海洋大学化学化工学院,山东青岛266003 [2]德州学院化学系,山东德州253011

出　　处：《过程工程学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(编号:20376078)

年　　份：2007

卷　　号：7

期　　号：3

起止页码：520-525

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20072910703180)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于Gibbs自由能最小原理,对SiHCl3法生产电子级多晶硅闭环工艺的3个反应子系统分别进行了化学反应平衡计算,重点对SiHCl3还原反应子系统进行了热力学分析.对于SiHCl3还原反应子系统,适宜的操作温度为1323～1473K,压力为0.1MPa;温度高于1323K,H2/SiHCl3比大于6.6,低压下有利于SiHCl3还原生产多晶硅.针对传统的SiHCl3还原需要高温下电加热给过程操作带来的诸多不便,提出了用Cl2部分氧化使SiHCl3还原反应体系实现能量耦合的新工艺,即反应过程不需外部加热就可完成,从而节约电耗,同时还发现平衡时体系中加入的Cl2能反应完全,不会影响后序工艺的进行.对于SiCl4转化反应子系统,高压、低H2/SiCl4比有利于生成SiHCl3.

关 键 词：多晶硅 生产工艺 化学反应平衡  吉布斯自由能最小  

分 类 号：TQ02]