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期刊文章详细信息

氮化铟p型掺杂的第一性原理研究  ( EI收录 SCI收录)  

First-principles study of the p-type doped InN

  

文献类型:期刊文章

作  者:丁少锋[1] 范广涵[1] 李述体[1] 肖冰[2]

机构地区:[1]华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州510631 [2]西安交通大学材料学院,西安710049

出  处:《物理学报》

基  金:国家自然科学基金(批准号:50602018);广东省自然科学基金(批准号:06025083);广东省科技攻关计划(批准号:2006A10802001);广州市科技攻关重大项目(批准号:2005Z1-D0071)资助的课题.~~

年  份:2007

卷  号:56

期  号:7

起止页码:4062-4067

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:20073210754994)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号:WOS:000248134500069)、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000248134500069)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘  要:采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,其中非掺杂体系的理论值与实验值符合很好.计算了掺杂InN晶体的结合能,总体态密度、集居数,差分电荷密度,并对此做了细致的分析.计算结果表明,相对于Zn和Cd,MgIn在InN中的溶解度会更大,并能提供更多的空穴态,非常有利于InN的p型掺杂.

关 键 词:氮化铟 P型掺杂 电子结构 第一性原理

分 类 号:O471.1]

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同被引文献:

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