文献类型：期刊文章

作　　者：林巧明[1] 郭霞[1] 顾晓玲[1] 梁庭[1] 郭晶[1] 沈光地[1]

机构地区：[1]北京工业大学光电子技术实验室,北京100022

出　　处：《半导体光电》

基　　金：国家"973"计划资助项目(2006CB604902);北京市教委项目(kz200510005003);北京市科委重点项目(D0404003040221);国家自然科学基金项目(60506012);"十五"国家科技攻关项目(2003BA316A01-01-08);北京市人才强教计划项目(05002015200504)

年　　份：2007

卷　　号：28

期　　号：3

起止页码：338-341

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：20073210755310)、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过对蓝光和红光发光二极管在直流和脉冲电流两种情况下进行变电流测试,对其峰值波长的偏移情况进行了深入的对比分析和研究,指出主要是热效应和极化效应两个因素造成蓝光LED的峰值波长发生偏移,并计算出热效应单独引起峰值波长偏移的温度系数为0.080 7nm/K,In0.2Ga0.8N/GaN发光二极管量子阱中的极化强度为3.765 0 MV/cm;分析还认为电流注入下多量子阱中载流子分布不均匀也是影响器件峰值波长的一个因素,并计算得到去除极化影响后量子阱中的场强,验证了在电流注入下多量子阱中载流子分布不均匀的结论。

关 键 词：GAN 发光二极管 峰值波长 热效应 极化

分 类 号：TN312.8]