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磁电子学中的若干问题
THE PRESENT STATUS AND DEVELOPMENT OF MAGNETIC OPTICAL AND MAGNETIC STORAGES
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中国科学院物理研究所&凝聚态物理中心磁学国家重点实验室
年 份：1997
卷 号：17
期 号：2
起止页码：119-149
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1996、CSCD、CSCD2011_2012、JST、MR、RCCSE、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文综述了自旋极化输运过程中巡游电子的自旋极化、自旋相关的散射及自旋弛豫等三方面的内容；全面总结了铁磁金属的磁电阻效应（ＡＭＲ）、磁性金属多层膜和颗粒膜的巨磁电阻效应（ＧＭＲ）、氧化物铁磁体的特大磁电阻效应（ＣＭＲ）以及磁隧道结的巨大隧道电阻效应（ＴＭＲ）研究中具有代表性的实验结果及理论模型；简单介绍了新生的磁电子器件—磁电阻型随机存取存储器（ＭＲＡＭ）和全金属自旋晶体管的工作原理和工作过程。
关 键 词：磁电子学 自旋极化输运 磁电阻 磁隧道结
分 类 号：O484.5]
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