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工艺参数对非平衡磁控溅射Ti/TiN/Ti(C,N)薄膜硬度的影响
Influence of Processing Parameters on Hardness of Ti/TiN/Ti(C,N) Films Deposited by Unbalanced Magnetron Sputtering Technology
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]东北大学机械工程与自动化学院,辽宁沈阳110004 [2]深圳国家863计划材料表面工程技术研究开发中心,广东深圳518029
基 金:国家高新技术863计划资助项目(2001AA338010)
年 份:2007
卷 号:19
期 号:7
起止页码:50-53
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、IC、INSPEC、JST、PROQUEST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:采用中频非平衡磁控溅射工艺,在316L不锈钢、高速钢和硬质合金3种基体材料上制备Ti/TiN/Ti(C,N)膜系的硬质薄膜。通过改变工作气氛、基体负偏压等工艺参数,对制备薄膜的硬度进行检测分析,结果表明:在Ti(C,N)薄膜的制备中,工作气氛和基体负偏压是影响薄膜硬度的主要因素。当工作气体的通入比例C2H2/(N2+Ar)<1/9时,薄膜硬度较高。当通入的乙炔(C2H2)流量增加时,会明显降低薄膜硬度。当基体负偏压在一定范围内增加时,薄膜硬度随之逐渐提高;当负偏压增加到200 V时,薄膜硬度最大;负偏压超过200 V,薄膜硬度明显下降。基体材料对薄膜硬度的影响较大,在不同基体材料上镀制同一种硬质薄膜时,薄膜硬度不同;3种基体材料上沉积薄膜的硬度数316L不锈钢基体上的薄膜硬度最低。
关 键 词:非平衡磁控溅射 Ti(C, N)薄膜 薄膜硬度 基体负偏压
分 类 号:TG174.444]
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