文献类型：期刊文章

作　　者：何宇亮[1] 韦亚一[2] 余明斌[3] 郑国珍[2] 刘明[3] 张蔷[4]

机构地区：[1]南京大学固体微结构物理实验室,210093 [2]上海技术物理所红外物理国家实验室,200083 [3]北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室 [4]北京联合大学电子自动化工程学院,100101

出　　处：《固体电子学研究与进展》

基　　金：国家自然科学基金

年　　份：1997

卷　　号：17

期　　号：2

起止页码：193-201

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：使用超高真空PECVD薄膜沉积系统制备的纳米桂薄膜（nc－Si：H）具有高电导特性。为了探讨其导电机制，先使用K．Yoshida早期提出的两相无序结构有效电导模型分别对晶粒电导和界面电导进行了理论计算。指出，nc－Si：H股中高电导主要来自于细微晶粒的传导，界面可视之为非导体。另一方面，实验证实nc－Si：H股的电导率随平均品粒尺寸减少而增大，具有明显的小尺寸效应。文中首次提出，nc－Si：H膜的微晶粒具有异质结量子点（HQD）特性，并按此模型对nc－Si：H膜的电导率实验曲线进行了讨论。理论与实验结果符合得很好．又得出，硅薄膜结构在其晶态体积百分比Xc=0．30和0．70处呈现出两个明显的相变点。

关 键 词：纳米硅 导电机制 半导体薄膜技术

分 类 号：TN304.12] TN304.055