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ITO衬底上LiTaO_3薄膜的制备与介电特性 ( EI收录 SCI收录)
PREPARATION AND DIELECTRIC PROPERTIES OF LiTaO_3 THIN FILM ON THE ITO SUBSTRATE
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]电子科技大学机电工程学院 [2]江苏工业学院功能材料实验室,江苏常州213016
基 金:国家自然科学基金资助项目(60572007);中国民航飞行学院科研基金资助项目(J2005-25)
年 份:2007
卷 号:26
期 号:3
起止页码:170-173
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI(收录号:20073110727005)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号:WOS:000248063300003)、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000248063300003)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:用溶胶凝胶法在ITO衬底上制备了钽酸锂(LiTaO3)薄膜,利用XRD、SEM和AFM对薄膜的晶向、表面形态等作了表征;研究了不同溶剂对LiTaO3溶胶稳定性的影响和不同退火条件对LiTaO3薄膜结晶的影响;利用Al/LiTaO3/ITO结构,测试了薄膜的介电系数和介电损耗.结果表明:每层薄膜都晶化退火比交替使用焦化、结晶退火能生长出质量更好的LiTaO3薄膜;频率1KHz时,介电损耗约0.4,相对介电系数约53.并讨论了介电损耗增大的原因.
关 键 词:钽酸锂薄膜 ITO衬底 退火条件 介电特性
分 类 号:TN215]
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