期刊文章详细信息
高压VDMOS电容的研究
Study on the Capacitance of High Breakdown Voltage VDMOS
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]东南大学集成电路学院 [2]东南大学国家ASIC工程技术研究中心
年 份：2007
卷 号：30
期 号：3
起止页码：783-786
语 种：中文
收录情况：CAS、INSPEC、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊
摘 要：本文主要研究了VDMOS电容的组成,详细分析了Ciss、Coss和Crss这3个VDMOS电容参数的定义和各自对应的特性,并从模拟上着重分析了沟道长度和栅氧厚度对电容的影响.文中提出一种反馈电容较低的VDMOS新单元结构,在相同的尺寸条件下,新结构单元Qg*Rdson的优值较之传统型设计显著下降.
关 键 词：VDMOS 电容 导通电阻
分 类 号：TM53]
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