文献类型：期刊文章

作　　者：吴克跃[1] 黄伟其[1] 刘世荣[1] 秦朝建[2] 蔡绍洪[1]

机构地区：[1]贵州大学理学院光信息物理实验室,贵州贵阳550025 [2]中国科学院地球化学研究所,贵州贵阳550003

出　　处：《贵州科学》

基　　金：国家自然科学基金资助项目

年　　份：2007

卷　　号：25

期　　号：2

起止页码：13-16

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：将功率为75W、波长为1064nm的YAG激光的散焦束斑辐照在SiGe合金表面上能够形成多孔硅锗结构,其硅纳晶和锗纳晶的尺寸和形貌有自身的特点.用514nm激光激发,在600nm到900nm波长范围有较强的光致荧光.与化学刻蚀方式生成的多孔硅锗样品相比较,其荧光发光的频谱分布较复杂.当激光辐照到锗纳晶颗粒较多的地方,荧光发光谱分布延伸至红外区域.文中分析了发光的机理,检测出光致荧光的增强与氧化硅表面无关,主要来自硅纳晶和锗纳晶的表面态.指出了激光辐照方式加工样品的优点.

关 键 词：激光辐照 多孔硅锗  光致荧光

分 类 号：O472.3] O432.12[物理学类]