文献类型：期刊文章

作　　者：王科范[1] 刘金锋[2] 刘忠良[2] 徐彭寿[2] 韦世强[2]

机构地区：[1]河南大学物理与电子学院微系统物理研究所,河南开封475001 [2]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029

出　　处：《物理化学学报》

基　　金：国家自然科学基金(50572100)资助项目

年　　份：2007

卷　　号：23

期　　号：6

起止页码：841-845

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过调节生长参数,在Si(001)衬底表面利用分子束外延(MBE)方法生长得到尺寸小于10nm的高密度Ge量子点.扩展的X射线吸收精细结构(EXAFS)的研究结果表明,在500℃和550℃制备的小尺寸量子点内,GeSi合金的含量分别为75%和80%.经热力学分析,在量子点生长完成后的退火过程中,可能存在Si原子从衬底表面向量子点表面扩散,并和Ge原子通过表面偏析发生混合的过程.另一方面,小尺寸量子点较高的高宽比,也会导致形成较高含量的GeSi合金.

关 键 词：GE量子点 扩展的X射线精细吸收结构  互扩散

分 类 号：O613.72]