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期刊文章详细信息

GaAs/AlGaAs HBT器件的S_2Cl_2钝化  ( EI收录)  

S_2Cl_2 Passivation of GaAs/AlGaAs HBT

  

文献类型:期刊文章

作  者:曹先安[1] 陈溪滢[1] 李喆深[1] 苏润洲[2] 丁训民[1] 侯晓远[1] 钱峰[3] 姚晓峨[3] 陈效建[3]

机构地区:[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433 [2]东北林业大学物理系,哈尔滨150040 [3]南京电子器件研究所,南京210016

出  处:《Journal of Semiconductors》

基  金:国家教委跨世纪人才基金;国家杰出青年基金

年  份:1997

卷  号:18

期  号:1

起止页码:76-80

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号:1997423797489)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs/AlGaAs异质结台面型晶体管,大大改善了它的直流特性.并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测,证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaAs的表面性质,从而降低了表面复合对器件性能的影响.这种钝化方法有可能发展成为GaAs器件制造中的一种实用钝化工艺.

关 键 词:硫钝化 砷化镓 HBT

分 类 号:TN304.23]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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